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電力電子裝置的“CPU”:華為開始低調研發IGBT器件

2019/11/29 16:14:50來源:IT之家作者:遠洋責編:遠洋評論:

IT之家11月29日消息 據集微網報道,從業內人士獲悉,華為已開始研發IGBT,目前正在從某國內領先的IGBT廠商中挖人。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰略性新興產業,在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

據華為官網顯示,IGBT早已成為其UPS電源的核心器件。做為一種雙極晶體管復合的器件,IGBT不僅具有易于驅動,控制簡單,開關頻率高等優點,同時又具備導通電壓低,通態電流大,損耗小等技術優勢。

據報道,我國功率半導體市場占世界市場的50%以上,是全球最大的IGBT市場,但IGBT產品嚴重依賴進口,在中高端領域更是90%以上的IGBT器件依賴進口,長期被英飛凌,三菱,富士電機等國外巨頭壟斷全球場,IGBT國產化需求已是刻不容緩。

據悉,在華為被卷入中美貿易戰之前,華為海思主要研發數字芯片,并不涉及功率半導體,華為所需的IGBT產品主要從英飛凌等IGBT原廠處采購。

被美國加入實體清單給了華為警醒,據悉目前在二極管、整流管、mos管等領域,華為正在積極與安世半導體、華微電子等國內廠商合作,加大對國內功率半導體產品的采購量,而在高端IGBT領域,華為卻不得不開啟自研之路。

值得一提的是,工信部10月8日表示,將持續推進芯片,器件及IGBT模塊產業發展。

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